根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查表示，第二季各类产品的报价走势，除了行动式存储器产品(discrete mobile DRAM/eMCP)跌幅相对较缓、落在10-20%区间外，包含标准型、服务器、消费性存储器的跌幅都将近三成，其中服务器存储器因库存情况相对严峻，跌幅甚至逼近35%。从市场面观察，即使第二季的销售位元出货量(sales bit)相比前一季有所成长，但报价仍续下跌，导致第二季DRAM总产值较上季下滑9.1%。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，7月各类NAND Flash（闪存）产品合约价已出炉，整体而言合约价仍趋向走跌，但受到东芝跳电对产出直接冲击，导致主流产品价格跌幅收敛。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查表示，第三季智能手机市场旺季需求增长幅度趋缓，不如以往旺季动辄10%以上的季成长表现，预估今年智能手机生产总量仍较去年衰退近5%。上半年行动存储器市场拉货动能迟滞，供应端的高库存尚未去化完毕，即便受日韩原料出口管控事件的影响，市场开始出现价格反转的声浪，但依旧难敌库存去化的压力。加上部分内存（DRAM）厂虽宣称启动减产计划，但实际规模普遍不大，多是旧制程减产或是制程转换产生的晶圆减少居多，主流产品未到亏损阶段前，内存（DRAM）厂的大规模减产机率不高，虽然现货市场价格略有波动，但整体合约价格依旧维持跌价走势。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。
根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求，逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料，加上随着5G建设逐步展开，射频器件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。
