根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange分析，2013年绝对是对DRAM产业具关键性的一年。受惠于智能型手机与平板计算机的热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式内存，导致标准型内存产出逐渐减少；再加上九月SK海力士无锡厂大火让4GB，模组合约均价由17美元上涨至今33美元，涨幅逼近一倍，各DRAM厂朝向全面获利的状态。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于旺季需求不如预期，再加上美系NAND Flash厂商季底财报结算影响，11月下旬NAND Flash合约价持续走跌6%-11%。
受到产业竞争急遽增加与财务压力的影响，知名固态硬盘品牌美商饥饿鲨(OCZ Technology)在11/27日宣布破产，该公司也同时宣布NAND Flash制造大厂东芝电子(Toshiba)已出价收购公司资产，各项购并程序提案皆已通过美国法院的同意。目前OCZ一切营运完全正常，待后续整并协商完成后，固态硬盘的市场将呈现不一样的风貌。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，原先预估下半年价格将受到SK海力士产出逐渐恢复以及市场需求不振影响逐步走弱，然而，受到某一线大厂在PC DRAM出货不顺影响下，转向其他DRAM厂追加订单，使得11月下旬合约价格逆势走扬，4GB主流模组最高来到35美元，均价为33美元，升幅大约各有3%；2GB模组也因为产出大幅减少价格呈现上涨趋势，最高来到18.5美元，市场甚至传出已有小量成交超过20美元水位。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，随着明年NAND Flash产业供需情况稳定，预期价格走势也将持稳，加上NAND Flash终端需求持续向上动能明确预期明年全球NAND Flash产值将达到美金280亿，较今年成长13.3%，连续两年达成双位数以上的成长。