TrendForce：武汉新芯确定统筹中国DRAM产业发展，将汇集三大技术成为中国重要内存芯片基地

2014年10月14 日中国工信部宣布国家集成电路产业投资基金（中国简称大基金）成立，进军DRAM领域成为中国半导体计划的第一步。期间经过中国六大地方政府竞逐DRAM生产基地，各地方政府也努力的寻找技术、人力、财力及资源，希望跻身为中国半导体领域的重要省分。经过激烈的竞争，直至近日，中国工信部电子信息司司长丁文武主导的半导体小组属意武汉新芯成为中国DRAM产业发展计划的首要重点区域，未来可能由赵海军领军并以武汉新芯做为增资平台。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资，远期计划要募集到240亿美元的规模，长期产能目标达每月30万片，正式展开中国DRAM产业发展的计划。

武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR三大技术成为未来中国重要的内存芯片产业基地

武汉新芯成立于2006年，是湖北省与武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸正式完工并开始投片，原为中芯国际旗下的一座工厂，后来2013年中芯国际退出营运，武汉新芯正式独立成单一公司，由武汉市政府负责，经营团队多在国际半导体公司都有历练，具有相当的技术根基。武汉新芯位处东湖开发区，占地达531亩，目前有一座12寸晶圆厂运作中，现有工厂初期产品以NOR为主，2015年年初正式与Spansion合作，展开3D NAND的技术开发。从目前工厂规模来看，武汉新芯一厂投片已接近满载水位，倘若再加上DRAM产能，势必将再兴建另一座12寸晶圆厂来满足未来产能的需求。DRAMeXchange预估，未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR技术成为中国半导体产业的技术领头羊，且将至少拥有二座12寸晶圆厂的中国内存芯片基地。