根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，12月上旬NAND Flash颗粒合约价均价较11月下旬小幅下滑1-3%。由于受到美系厂商的季底效应，以及终端需求疲软的影响，11月NAND Flash颗粒平均价格较10月下滑10-11%。而在12月上旬，多数模组厂对于圣诞节以及明年第一季农历新年也保守看待，库存水位处于正常偏高的情况；另外在供应端的部分，也因11月底大量出货，12月压力暂缓，降价求售的意愿不高。因此整体来说，12月上旬合约价格下跌幅度并不明显。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，受到假期买气的影响，终端市场出货稳健，有效去化PC-OEM的库存水位；再加上近来供应端良率问题尚未解决，因此影响12月上旬合约价小幅上扬，主流4GB均价由33美元上涨3%至34美元，2G模块也因供货数量大幅减少，价格同步成长近3%的。受到上述因素牵引，不排除下旬合约价有机会维持小涨格局。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，2014年SSD市场将有二大趋势发生：1. PCIe G2(即PCIe Generation 2.0)将取代SATA lll成为高阶SSD市场主流；2. SATA lll TLC SSD将崛起于中低阶市场。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，受惠于智能型手机与平板计算机畅销，自2010年起DRAM供货商的生产重心由标准型内存逐渐转往附加价值更高的行动式内存；从全球DRAM总营收角度观察，行动式内存比重从2010年仅占14%大幅跃升至今年约35%，在未来两年内仍将持续增加。若以位元产出数量做比较，行动式内存将会在2014年正式超越标准型内存，成为出货的最大宗产品别。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，SK海力士无锡厂于今年9月4日遭火灾冲击，由于起火点在晶圆厂内部，无锡厂全面停工长达一个月，单月全球DRAM供给量剧减10%。原先预估下半年走跌的标准型内存市场价格完全逆转，火灾至今上涨逼近20%，11月下旬DRAM 4GB合约均价来到33美元高档水位。