根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，NAND Flash产业的供过于求状态，Client SSD价格随之走跌，然而价格走跌反倒刺激需求成长，预期NB产品的SSD搭载率今年将正式突破50%，其中，PCIe SSD取代目前主流SATA III SSD脚步也将加速，PCIe SSD渗透率也可望于今年挑战50%大关。
全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，2018年第一季随着需求进入淡季循环，促使价格向下修正，第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%；第二季市场仍处于小幅供过于求的状态，eMMC/UFS、SSD等合约价持续下跌，但供货商希望透过更具吸引力的报价以刺激中高容量产品如256GB SSD、128/256GB UFS更高的位元需求成长，因此预计各供货商的营收表现仍可持稳。
全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)查证指出，美光被约谈最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高，加上限制设备商供货给福建晋华俨然是妨碍公平竞争行为。2018年第一季三星、SK海力士与美光在DRAM产业囊括约96%的市占率，与其他终端产品所采用的半导体组件相比，似乎已明显构成垄断的条件，未来反垄断调查的事件可能将持续发生，并且可能将压抑内存涨幅。
根据拓墣产业研究院最新报告统计，由于2018年上半年高端智能手机需求不如预期，以及厂商推出的高端及中端智能手机分界越来越模糊，智能手机厂商推出的新功能并未如预期刺激消费者换机需求，间接压抑智能手机厂商对高性能处理器的需求不如已往，晶圆代工业者面临先进制程发展驱动力道减缓，使得今年上半年全球晶圆代工总产值年增率将低于去年同期，预估产值达290.6亿美元，年增率为7.7%，市占率前三名业者分别为台积电、格芯、联电。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，去年下半年智能手机的新机发布并未如预期带来换机效应，因此自去年第四季中开始，市场提早进入传统淡季。品牌厂在历经3个月的库存水位调节后，于今年二月底才见市场需求转旺，并重启拉货动能，其中又以旗舰新机需求的大容量内存居多。整体而言，第一季受到智能手机市场回温、新机发表，以及行动式内存平均单价上涨的影响，全球行动式内存产值来到84.35亿美元，较去年第四季提升约5.3%，一反以往第一季营收衰退的轨迹，再度刷新历史记录。
