目前观察DRAM供应商库存虽已降低,但尚未回到健康水位,且在亏损状况逐渐改善的情况下,进一步提高产能利用率。不过,由于今年整体需求展望不佳,加上去年第四季起供应商已大幅度涨价,预期库存回补动能将逐渐走弱。因此,TrendForce集邦咨询预估, 第二季DRAM合约价季涨幅将收敛至3~8%。
据TrendForce集邦咨询研究显示,在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。
由于HBM售价高昂、获利高,进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m,占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市场主流为HBM3,NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过,由于AI需求高涨,目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏,除了CoWoS是供应瓶颈,HBM亦同,主要是HBM生产周期较DDR5更长,投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。
TrendForce集邦咨询研究显示,2023年第四季全球前十大晶圆代工业者营收季增7.9%,达304.9亿美元,主要受惠于智能手机零部件拉货动能延续,包含中低端Smartphone AP与周边PMIC,以及Apple新机出货旺季,带动A17主芯片、周边IC如OLED DDI、CIS、PMIC等零部件。其中,台积电(TSMC)3nm高价制程贡献营收比重大幅提升,推升台积电第四季全球市占率突破六成。