根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，由于4月下旬中国劳动节库存回补需求不如预期，2Q12除少数平板计算机及智能型手机新机型上市备货效应外，多数系统产品及记忆卡应用市场依然持续受到1H淡季效应影响，呈现疲弱不振的状况。此外，NAND Flash价格自今年年初以来大幅下跌已对NAND Flash供货商获利造成不利影响，因此自4月初以来，买卖双方基于不同立场，议价拉锯状况持续，使得部分厂商的部分芯片合约价未能于4月底前达成共识，故大致上4月下旬主流NAND Flash合约均价下跌约2-9%。
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着智能型手机的热卖及平板计算机的兴起，各DRAM厂无不积极开发或是提升行动式内存产能，除了可以提升毛利率，亦可降低标准型DRAM生产减少亏损幅度，加上智能型手机的出货较去年同期成长48%，预估本季出货将来到1.48亿支，尤其在硬件规格上，今年更主打高效能的四核心芯片、Android 4.0(ICS)及LTE的推出，将有助于智能型手机市占率进一步提升，同时推升行动式内存需求。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM合约价格自四月初起至今，由于买卖双方在合约价议定上苦无共识，导致议价时程拉长，使得上旬合约价延至本月第三周才公布。以供给端而言，虽然目前产能仍处于供过于求状态，但韩国大厂在PC内存价格上转趋强硬，加上尔必达退出市场与否充满不确定下，合约价格仍维持上涨走势，4GB与2GB模组均价分别达到20.25与10.5美元，涨幅为6.58%与5%。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下DRAMeXchange的调查，进入传统销售淡季后，零售通路与OEM客户的需求力道持续疲软，使得4月上旬NAND Flash合约价下跌4-8%。在未来终端需求能见度不高的情况下，NAND Flash买方为了降低库存跌价损失的风险，下单动能趋于保守，除非卖方能给予更具吸引力之价格优惠。上述买方的预期心理，使得卖方继续面临庞大的降价压力。然而，NAND Flash卖方在这一波持续杀价竞争的情况下，不仅已侵蚀其获利水平，而且降价刺激买气的效果已经减缓，这让NAND Flash卖方逐渐倾向维持价格的稳定性。预期在淡季效应以及NAND Flash卖方销售策略转向下，未来价格将呈现缓跌的走势。
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，受第一季淡季效应的影响，零售市场的记忆卡与随身碟需求持续疲软，再加上OEM客户的新机种上市时间点，最快也会落于2Q12，使得NAND Flash下游客户端皆持续采取保守的库存策略，以降低营运风险。在买方购买意愿不强的情况下，卖方过去采取的降价促销策略效果有限，价格若继续下跌，恐将侵蚀自身的获利水平，使得部分卖方降价意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NAND Flash合约价呈现微幅走跌的原因。
