根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，12月上旬合约价格受到现货价格拉抬的激励，平均涨幅约2%，下旬合约价更延续上旬上涨的气势，尤其是主流模组4GB的高价位价格上涨最多，达到3.17%，成交价格落在美金16.25元，与合约均价价格(美金15.75美元)的价差已经拉大到呈现0.5美元的间距，显示不同DRAM供应厂商的议价能力已经有显著的差异。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然对于明年景气保守看待，不过智能型手机、平板计算机仍可稳健成长，而超轻薄笔电(Ultrabook)的渗透率也将逐季提升，因此我们对于eMMC与SSD的发展依旧持正面看法，整体NAND Flash需求位元年成长率也可达47.6% 。另外，2013年NAND Flash供给端在约当12吋投片产能仅较2012年增加4%、资本支出预计较今年减少22% 的情况下，整体产出位元成长率仅约为41%。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，受到现货价格的激励，12月上旬的模组价格亦同步呈现上扬走势，4GB均价回到US$15.5水位，小涨1.64%；2GB模组均价同样受惠，回到US$8.9水位，涨幅同样有1.71%。观察此波上涨趋势，虽然幅度仍小，但在需求端持续低迷的情况下还能够止住跌势，足以显示PC OEM端在历经漫长的库存调节之后总算回到相对健康的水位，买货意愿亦逐步提高。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电，但相关NAND Flash的营运没有受到影响，现货价格虽因此有微幅上涨，但整体需求偏弱格局不变。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，虽然供货商持续以节制供货量来稳定NAND Flash产品价格，但随着NAND Flash OEM及通路市场客户的年终假期备货需求开始在11月下旬递减，使得11月下旬多数主流NAND Flash芯片合约均价持续小跌约1-3%。此外，受到部分供货商逐渐增加新的20nm级制程64Gb MLC出货量影响，11月下旬64Gb MLC芯片合约均价下跌约7%。
