根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange的调查显示，由于五、六月份通路市场市况较预期疲弱，通路端与模组厂库存水位偏高，而模组厂原本寄望美系厂商的季底效应将有机会降价以刺激需求，但NAND Flash原厂展望即将来临的旺季拉货潮将至，对于价格的态度转趋强硬，买卖双方谈判空间不大，因此五月下旬NAND Flash合约价持平开出。
全球市场研究机构TrendForce表示，标准型内存经过两年价格崩跌，产值大减的负面循环之后，2013年首先出现价格反转契机。今年以来主流产品4GB模块合约价上扬近六成，带动服务器与行动式内存平均销售单价止跌反弹，即使在位供给年成长有限的情况下，今年度产值年成长可望大幅增长30%。NAND Flash部分也随着行动装置销售增长以及产业结构性调整，市场供需状况已大幅改善，2013年整体产值将在需求持续成长以及ASP跌幅收敛的利多下，较2012大幅成长27.2%来到美金257亿元，需求位成长率可达到48.8%。 2014年DRAM持续缓步复苏，三星独大态势不变
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，5月上旬NAND Flash合约价受到淡季效应影响呈现缓跌走势。 5月上旬记忆卡与随身碟产品持续受到第二季传统销售淡季的影响，终端销售表现显得疲弱不振，且中国五一假期并无提振买气，加上通路库存水位因之前价格上涨提前备货，在销售不佳的情况下采购意愿转为保守，造成大多数的NAND Flash买方倾向到5月下旬时再积极与卖方洽谈采购合约，希望能取得较为有利的价格让利空间。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于标准型内存从去年第四季开始拉出一波持续的涨势，因此一线厂商已放缓PC DRAM产能转入Mobile DRAM的速度，使得第二季行动式内存的合约价格跌幅趋缓，主流容量产品如LPDDR2 4Gb、8Gb
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，去年第四季全球智能型手机出货进入传统旺季，行动式内存营收较去年第三季成长21.4%来到27.4亿美元。但2013年第一季受到淡季因素影响，加上第四季营收基期较高，总营收降为26亿美元，相较前季小幅衰退5.2%。 TrendForce表示，韩系厂商在产能与技术上仍然保持领先地位，两家韩厂合计营收占全球77.5%，较PC-DRAM市场更具寡占态势。整体而言，2013年第一季市占率排名与去年第四季相比变化不大，下半年美光正式与尔必达合并后，行动式内存市占版图才可能有较明显变化。
