根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然第三季内存价格涨幅不若上半年凌厉，但受惠于DRAM整体结构面的大幅改善，第三季全球DRAM总营收仍有9%的季成长，更持续推升DRAM供货商的获利能力；主要三大DRAM厂营业利益(operating margin) 季增长约达2%，其中差异点主要取决标准型内存的产出多寡。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，第三季虽然NAND Flash价格涨幅不若第二季明显，但由于下半年NAND Flash供货商产出成长依旧相当有限，加上智能型手机与平板计算机成长步伐稳健，因此即便第三季eMMC和Client SSD合约价与第二季持平，NAND Flash厂商的营收还是继续维持上升态势。第三季NAND Flash品牌供货商营收较第二季单季增加8.8%，来到62亿8千1百万美元，较去年同期增加35%。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，在市场需求持续走弱下，10月下旬合约价较10月上旬下跌2-8%。从供给面来看，SK海力士中国无锡厂火灾事件后，三星与SK海力士皆决定要把部分的NAND Flash产能转移去生产DRAM，以填补火灾事件造成的DRAM产能缺口。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于系统装置如智能型手机、平板计算机、单眼相机等，仅少数机种能支持SD 3.0接口，以及主要需求来自出货量占整体市场比重较低的零售通路市场，使2013年全球SD 3.0记忆卡渗透率约10%。预期上述两大不利因子自2014年起有机会逐渐改善，再加上龙头厂商们为了提升获利质量也会加速提高SD 3.0产品比重的情况下，2014年SD 3.0渗透率有机会挑战20%水平。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，持续受到SK海力士火灾影响，供给面出现短缺使得合约价格持续上扬，主流模组4GB最高价格已经站上34美元，与九月相较成长6.25%，换算4Gb颗粒价格后单颗颗粒最高为3.94美元，已经逼近4美元大关，与当前现货价格4Gb颗粒最高价4.25美元尚有约8%的价格差距，预计在下旬合约价公布后，现货与合约颗粒价格将更为贴近。
