整体而言，受惠于来自AI服务器的订单需求支撑，以及ICT产品需求虽不见节庆备货的高成长，但仍较第一季维持低成长，助益产能稼动率逐渐回稳，因此预估第二季MLCC出货量将季增6.8%，达12,345亿颗，同步带动第二季营收呈现小幅成长。
HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球前十大IC设计业者营收合计约1,676亿美元，年增长12%，关键在于NVIDIA（英伟达）带动整体产业向上，其营收年成长幅度高达105%，Broadcom（博通）、Will Semiconductor（上海韦尔半导体）及MPS（芯源系统）年营收微幅成长，而其他企业则受景气下行冲击、库存去化影响，年营收衰退。
据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。
根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。
