全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，2014年第二季全球行动式内存总营收季成长29%达33亿美元，占DRAM总产值的31%。在全球DRAM产能吃紧情况下，第二季行动式内存价格止跌回稳，而中国手机品牌厂的崛起与4G市场的热络更让行动式内存出货畅旺，整体产值较上季成长12%。三星半导体依然稳居市占龙头，而SK海力士再度夺回第二名的位置，营收成长来到34.8%，为全球DRAM厂之冠，与美光的市占率差距也大幅拉大，显示SK海力士在标准型内存与行动式内存间取得产出平衡点策略出现成效。
NAND Flash市况明显好转，不但价格跌幅收敛，OEM终端需求也从五月底开始增温，第二季NAND Flash品牌供货商营收达76.49亿美元，季成长5.6%。全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，随着智能型手机与平板计算机等应用端进入第三季的出货旺季，相关产品备货需求可望提升NAND Flash业者下半年的营运表现。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM产值达108亿美元，较上季成长9%。在产品比重调配得宜下，三大DRAM厂获利能力皆进一步上升，其中仍以三星表现最佳，营业获利(operating margin)达39%，SK海力士以38%紧追在后，而美光集团中则以华亚科营业获利达54.6%最为亮眼。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季合约价格多数于七月下旬议定完成，4GB均价来到32美元，月成长4.92%，其中高价更来到33美元，涨幅达6.45%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，时序进入传统旺季，苹果新款手机出货在即，原先略显吃紧DRAM产能还需要保留行动式内存的生产，导致第三季价格仍维持上涨格局。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，第三季行动式内存价格与前季相较相对持稳，所有产品线的跌幅皆落在5%以内，其中大部分的智能型手机厂甚至在第三季的采购价格与前季完全相同，在行动式内存连续跌价超过两年的前例看来，今年受旺季需求支撑所呈现的价格持平走势相当难得，DRAM厂在该领域的获利持续向上攀升。
