集邦咨询存储研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆栈顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
拓墣产业研究院最新研究显示，中国大陆集成电路产业投资基金（大基金）自2015年出台后，大基金承诺投资额度已接近人民币700亿元，其中多数资金投入于半导体制造端晶圆厂的建置，占已投资比重约60%，预期在完成制造端布局后，大基金下一个阶段的投资重点将转向IC设计产业。
2016年DRAM产业市况转折相当大，历经上半年需求不振，持续跌价的态势，至第三季后，才在中国智能手机出货畅旺、笔电出货回温下，DRAM的平均销售单价开始大幅上扬。展望未来， TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）预估，2017年整体DRAM供给位元成长将小于20%，为历年来最低，在需求面没有明显转弱的前提下，预估全年度DRAM供给成长将小于需求成长，可望带动DRAM价格持续攀高，维持供货商全面获利的状态。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，受惠于强劲的智能手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品类别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第一季，届时企业级与消费级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，11月DRAM合约价格持续维持上涨格局，4GB模组均价来到18美元，月涨幅达2.86%。现货价格也持续上扬，DDR3 /4的4Gb颗粒价格分别来到2.6/2.53美元，月涨幅为6%与2%，表示市场普遍预期未来价格仍将走升。
