TSMC（台积电）、Samsung（三星）两大厂降低八英寸晶圆产能，将导致2026年全球八英寸总产能年减幅度达2.4% AI带动的Power（功率）相关IC需求成为支撑全年八英寸产能利用率关键 晶圆厂有意调整代工价格5-20%不等，然而终端前景不明、存储器与先进制程涨价挤压外围IC成本等因素，可能收敛实际涨幅
根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA（英伟达）于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正设计。此外，AI热潮刺激NVIDIA前一代Blackwell产品需求优于预期，Rubin平台量产时程顺势调整。两项因素皆导致HBM4放量时间点延后，预期最快于2026年第一季末进入量产。
根据TrendForce集邦咨询最新研究，随着国际主要NAND Flash制造商退出或减少MLC NAND Flash生产，并集中资本支出与研发资源在先进制程，预估2026年全球MLC NAND Flash产能将年减41.7%，供需失衡情况加剧。
预估1Q26一般型DRAM合约价季增55-60%，NAND Flash季增33-38% DRAM供需差距扩大，美系CSP锁定货源致使其他买家被迫接受高价，Server DRAM价格估计季增逾60% 消费类、AI用NAND Flash需求两极化，Enterprise SSD将占据最大份额，预估Client SSD价格涨幅40%以上
根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
