根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，行动式内存受惠于智能型手机与平板计算机等行动装置出货持续成长，在内存产业中的总产出比重也从2010年的11%逐年提升，预计2012年行动式内存的产出比重将提升到21%，到2013年将更进一步提升到24%。其中LPDDR2的产品因为主芯片规格提升后需求量也将增加，今年第二季价格追平LPDDR1后，LPDDR2在行动式内存总出货量达六成以上，确立在行动式内存的主流地位。展望2013年，LPDDR2出货将可望拉升到行动式内存七成以上的比重，次时代行动式内存LPDDR3也会在明年崭露头角并应用在一些高阶商品上面，各家内存制造商能否在主流产品上精确掌握生产成本以及善用多样化的产品组合将成为获利的关键。
从需求面观察，随着SoC (System on Chip)的规格不断提升，明年智能型手机搭载的主芯片将以双核与四核心为主。由于主芯片需要搭配LPDDR2以上的规格才能发挥最佳的运算效能，因此2013年LPDDR1的需求将会逐步下滑，并降至整体行动式内存产出量的两成以下，且内存供货商在LPDDR1的产能持续转移至LPDDR2，供货减少下，续用LPDDR1的手机制造商将会有更大的备料压力。而高阶的智能型手机、平板计算机及Ultrabook机种虽可导入LPDDR3作为内存配备，然仅有高阶机种出货量仍不足以拉动整体LPDDR3的需求，在总量尚未提升至一定水平之前，LPDDR3与LPDDR2的价格差距不易缩短，因此2013年LPDDR2仍然会稳居行动式内存市场主流，LPDDR3成为主流最快也要至2014下半年。
从供给面观察，目前市场上可以提供LPDDR2内存颗粒的制造商主要有四家：三星半导体、SK海力士、尔必达内存以及美光科技。自生产技术观察，目前三星半导体的行动式内存产品制程除了LPDDR1以外，皆已悉数转进至35nm制程，SK海力士主流制程为38nm，尔必达在LPDDR2制程与美光同为30nm，因此各家厂商在单颗粒产出的效率与技术可谓不相上下，且各家厂商对于2x奈米制程进度转趋保守，2013年上半年3x奈米仍然会是主流生产技术。若进一步讨论单颗粒容量大小(mono die density)，四家主要行动式内存供货商的LPDDR2 mono die 在2013年主流的单位容量颗粒应是4Gb，因此在成品容量的搭配上也是大同小异，例如多芯片封装(MCP)的多元组合产品以及创造产品差异化，将会是各家厂商严肃的课题。
综观2013年的行动式内存市场，虽然有智能型手机与各种行动装置带来稳定的成长，然而内存供应面在标准型内存的产能大举转向行动式内存的情况下，想达到稳定的供需平衡实属不易。供过于求的情况将反应在每季行动式内存的价格降幅上，因此成本结构的考验相当严酷。当各家内存供货商在技术上已经不易拉出更大差距的情况下，获利的关键就在于精确掌握生产成本、提高生产良率以及善用多样化的产品组合，才能在竞争激烈的内存市场中抢下一席之地。
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