DRAMeXchange: NAND Flash品牌厂商3Q11营收排行分析

集邦科技(TrendForce)旗下的研究机构DRAMeXchange表示3Q11 NAND Flash市场在欧洲债券风波及美国财经议题争议的影响下，传统的3Q旺季备货需求递延到9月初才开始回温，7-8月记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲弱，且除了某些系统产品客户有稳定的OEM外，多数下游客户在7-8月多仍在去化手头的过剩库存，因此NAND Flash价格到９月份方因部份系统客户准备其４Q新产品上市的备货效应才出现止跌回稳的状况，因此3Q11整体品牌NAND Flash供货商的ASP下跌约14% QoQ，但因少数平板计算机及智能型手机客户的OEM订单，相对记忆卡及UFD通路市场的疲弱需求仍来得稳健，使得3Q11整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量得以成长约28% QoQ，故整体NAND Flash品牌供货商的3Q11营收增加约9.6% QoQ成为53亿4千万7百万美元。

依3Q11 NAND Flash品牌厂商季营收排行来看，三星(Samsung)营收为20亿3百万美元，市占率为37.5%，仍维持第一；东芝(Toshiba)营收为16亿9千2百万美元，以市占率31.6%仍排名第二；海力士(Hynix)为第三名，营收6亿3千3百万美元，市占率为11.8%；美光(Micron)为第四名，营收为6亿3百万美元，市占率为11.3%；英特尔(Intel)列名第五，营收为4亿1千5百万美元，市占率为7.8%。


数据源：集邦科技，2011年10月

3Q11品牌NAND Flash供货商营运分析

三星电子(Samsung)

3Q11虽然记忆卡及UFD通路市场需求较疲弱，但三星因受惠于一些智能型手机及平板计算机等系统产品客户OEM订单的帮助下，因此，3Q11季位元出货量得以成长约20% QoQ，ASP则约下跌约15% QoQ，故3Q11的季营收小幅增加为20亿3百万美元，3Q11市占率为37.5%。三星预期4Q11来自部份智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单仍将稳健，故其4Q11的位元出货量将可望成长约10% QoQ以上，4Q11三星将会以持续提高27nm及21nm制程产品的产出比重来强化其成本竞争力，并开发新的eMMC及SSD等来提高其来自系统产品客户的销售比重。

东芝电子(Toshiba)

3Q11东芝受惠于某些智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单，以及记忆卡策略伙伴的稳定订单帮助下，使得位元出货量呈现大幅的成长，虽然仍受价格下跌及日圆升值的影响，但3Q11季营收增加约24.7% QoQ成为16亿9千2百万美元，3Q11市占率为31.6%。4Q11东芝也将持续地提升24nm及19nm新制程技术的产出比重来强化其成本竞争力，同时也将会开发嵌入式产品及SSD来持续提高系统产品客户的销售比重，以因应新兴智能移动装置的成长需求。

海力士半导体(Hynix)

受到欧债风波及全球经济的不确定因素削弱NAND Flash的终端需求，3Q11海力士主要以提高行动装置系统产品客户的销售比重，来使3Q11位元出货量增加约16%QoQ，但ASP则下跌14%ＱoQ，故3Q11季营收呈现持平为6亿3千3百万美元，3Q11的市占率为11.8%。4Q11海力士受惠于某些智能型手机及平板计算机等系统客户的稳定OEM订单，故预期其4Q11的位元出货量将成长约15% QoQ，4Q11海力士将会持续提高26nm新制程技术的产出比重来强化其成本竞争力，同时也会开发Ultrabook用嵌入式产品及SSD新产品以持续提高系统产品客户的销售比重。

美光科技 (Micron)

美光上季因SSD的产品销售比例提高及某些系统产品客户OEM订单的挹注下，季位元出货量增加约47% QoQ，但淡季效应也使ASP下跌约26% QoQ使得上季营收增加约9.2% QoQ，成为6亿3百万美元，上季的市占率为11.3%。由于4Q11制程技术将由25nm持续转进到新的20nm，故美光预估其下一季的位元产出量约成长5% QoQ以上，随着年终旺季库存需求回温，美光预期下一季的ASP约为持平。美光也将进一步提升来自智能型手机,平板计算机及Ultrabook嵌入式产品及SSD的销售比重。

英特尔(Intel)

英特尔3Q11在SSD的销售比重明显的提高下，呈现ASP小幅上涨，季位元出货量则约为持平的状况，故其3Q11季营收成长约10.7% QoQ，成为４亿１千5百万美元，3Q11市占率成为7.8%。4Q11英特尔也将会开始生产20nm新制程技术的产品及持续提高其SSD产品客户的销售比重。