According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Mar. mainstream NAND Flash contract price...
根据集邦科技（Trendforce）旗下的 DRAMeXchange 的研究， PC-DRAM(标准型 DRAM)因为智能型手机与平板计算机等行动手持装置的兴起，在需求端与供给端皆面临巨大的影响...
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 2H'Feb. mainstream NAND Flash contract price...
受全球经济复苏的不确定因素影响，多数NAND Flash供货商对1H12的市况仍倾向保守，因此1H12的位成长将以制程技术升级为主，来强化成本的竞争力，2H12开始将视市场需求状况再适度地增加新的300mm晶圆产能，以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口，来减缓价格下跌对获利性的冲击，预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的2ynm级，集邦科技预估全球NAND Flash市场位供给量，将由2011年的9181 M 16Gb equiv.成长70.6% YoY，成为2012年的15663 M 16Gb equiv...
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Feb. mainstream NAND Flash contract price...
PC-DRAM 因为行动手持装置的兴起，在需求端与供给端皆面临巨大的影响。从需求面来看，消费者对于 PC 的需求，受到平板计算机的冲击而下滑，使得原先市场成长力道已低的 PC 市况更显疲弱，这对PC-DRAM 市场来说，无疑是一大考验；若从供给端来分析，全球 DRAM厂商为了因应行动手持装置兴起，纷纷切入 Mobile DRAM 市场，并透过调整产能与产品组合的方式，以减轻 PC-DRAM 需求下滑的冲击...
According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Jan. mainstream NAND Flash contract price...
受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能，以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口，以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度，预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级，因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...
受到全球总体经济因素的干扰，第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期，零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度，因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...
受惠于智能型手机与平板计算机的爆发性成长，内建式系统产品占整体NAND Flash 消耗量将首次突破 50%来到 60.4%的水平，显示未来 NAND Flash 产业的成长动能将开始由过去记忆卡与随身碟型态为主的市场，质变至智能型手机、平板计算机与固态硬盘等系统产品...
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