根據TrendForce集邦咨询研究顯示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。
厂商方面，纳微半导体（Navitas）将以29%的出货量市占率超越Power Integrations（PI），拿下今年全球GaN功率市场第一名。凭借其特色GaN Fast power ICs设计方案和良好供应链合作关系，进而成为消费市场GaN功率芯片第一大供应商，目前已与全球顶级手机OEM厂商及PC设备制造商展开合作，包括戴尔、联想、LG、小米、OPPO等。2021年其快充IC订单持续增加，此前在台积电（TSMC）Fab2的6英寸投片，下半年将转进至8英寸厂，以缓解产能紧缺问题；三安集成(San’an)也是其意向代工厂。另外，对于其他GaN应用市场，数据中心也可能成为纳微半导体的优先切入点，预计2022年会投入相应产品。
Power Integrations（PI）作为老牌电源芯片厂商，在GaN功率市场长期作为绝对主导地位，今年PI推出了基于PowiGaN™技术的新一代InnoSwitch™4-CZ系列芯片，搭载至Anker 65W快充等产品，取得市场一致好评。另外，近期发布的首款集成AC-DC控制器和USB PD协定控制的单晶片产品，或成为推升PI今年营收成长的又一大关键动能，预估将以24%出货量市占率位居全球第二。
中国业者英诺赛科出货量市占率居全球第三
值得一提的是，中国厂商英诺赛科（Innoscience）今年出货量市占率一举攀升至20%，跃升为全球第三，主要受惠于其高、低压GaN产品出货量大幅增长，其中，快充产品更首次进入一线笔电厂商供应链。与此同时，苏州8英寸晶圆厂已步入量产阶段，IDM模式优势将在GaN产业高速发展中逐步显现。目前英诺赛科正积极拓展其他领域应用例如Lidar、车载充电机（OBC）、LED电源等，丰富的产品组合将有望助其进一步扩大明年市占。
根据TrendForce集邦咨询调查，2020年中国约有25笔第三代半导体投资扩产项目（不含GaN光电），总投资额超过人民币700亿元，年增180%。其中，产业链最核心的SiC衬底材料，目前中国商业化产品仍以4英寸为主，且正往6英寸迈进，与国际先进水平差距不断缩小，然单晶质量差距仍然明显，高性能衬底自给率较低。据TrendForce集邦咨询统计，截至2021上半年，中国已有约7条硅基氮化镓晶圆制造产线，另有至少4条GaN功率产线正在建设中；而SiC晶圆制造方面（包括中试线）至少已有14条6英寸的产线。
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