集邦咨询：第四季DRAM合约价二次下修，2019年第一季跌幅持续扩大

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告，今年第四季DRAM价格正式反转向下，11月合约价甚至出现二次下修的状况，以目前成交方式来看，已有部分比重的合约价改以月(monthly deal)方式进行议价，显示买方对于DRAM价格后势看法悲观，预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

DRAMeXchange指出，以今年11月来看，4GB与8GB的价格除了高价仍有维持之外，在中低价都已调降，主流模组4GB的均价较10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%；8GB亦同，均价由上个月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。

观察今年第四季DRAM平均销售单价有近8%的跌幅，其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最，季跌幅都接近10%；而行动式存储器由于先前缺货时涨价幅度较小，因此第四季的跌幅相对较小，仅约5%。

展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供给面较2018年第四季持续增加，主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加，以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产；而每年首季都是传统需求淡季，加上2019年第一季智能手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱，恐将造成行动式存储器价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看，明年第一季跌幅较今年第四季更为显著恐怕是不可避免的状况。

供给增加、需求更趋弱化，DRAM整体市况持续走弱

以对供需状况最为敏感的标准型存储器而言，受到供给面持续增加，需求端面临淡季影响，导致库存难以去化、第一季价格跌幅恐将扩大至10%以上；与标准型存储器属性最为接近的服务器存储器，其价格跌幅恐怕更为显著，原因在于目前观察到服务器存储器买方的库存量偏高，而该领域除了受淡季影响外，中美贸易冲突战也增添不少变量。明年第一季出货状况恐怕较过往三年疲弱，尤其在32GB主流模组上，更能够明显观察到供应商积极砍价求售。

此外，占整体供货比例最大的行动式存储器同样呈现下滑的走势。展望明年第一季，由于新一代iPhone的出货高峰已过，目前中国android机种在渠道市场的整机库存又已偏高，预料明年初厂商将积极进行库存去化，因此对于关键零组件的需求将非常有限，同时我们预估2019年智能手机生产数量将较2018年衰退2.6%，对行动式存储器的位元需求将仅仰赖单机搭载容量的提升，导致行动式存储器价格恐将持续下滑。

至于在消费性领域方面，第一季亦为传统淡季，且受到中美贸易冲突所造成总体经济不确定因素提升，价格下滑趋势不变。其中，DDR4受主流应用PC/server需求所牵动，跌幅恐更甚于DDR3。