集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，2016年第四季NAND Flash缺货达全年高峰，在终端需求出货畅旺、平均销售价格普遍上涨的情况下，即使前一季营收基期已高，第四季NAND Flash营收仍旧上涨17.8%，同时各厂商的获利能力也达到全年的顶峰。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，观察2017年第一季，供给方面因转进3D-NAND Flash制程造成供货减少，使得各项合约价格持续上扬，但在终端需求方面较2016年第四季减少，预期NAND Flash品牌厂营收仍将持续成长，增幅稍微趋缓，而以全年度NAND Flash供应预期都将吃紧的情况来看，2017年NAND Flash厂商的营收仍可望逐季增加。
三星电子
受惠于高容量eMMC与UFS需求和固态硬盘表现强劲，去年第四季三星NAND Flash除了位元出货量季成长11～15%外，平均销售单价也成长逾5%，NAND Flash营收季成长近20%。
三星在高容量eMMC/UFS及固态硬盘上市场份额领先，因此受惠价格上涨的程度更为显著，而48层堆栈的3D-NAND Flash已顺利导入全系列固态硬盘产品线。
三星Line16厂持续转进3D-NAND Flash，Line17与平泽厂的新产能贡献将从第二季后将开始提升，因此预估2017第一季位元出货量将季衰退4～9%，位元成长须待至第二季后才会显著提高。
SK海力士
SK 海力士降低固态硬盘端供货比重以应对中国大陆品牌智能手机eMCP需求，去年第四季位元出货量微幅下滑3%，但平均销售单价则扬升14%，营收季成长9%至11.56亿美元。
2017年第一季SK 海力士面临转进3D-NAND Flash及第一季智能手机出货减少等因素，预估位元出货量将季衰退约0～5%，但在NAND Flash依旧吃紧的态势下，平均销售单价仍可望续扬。
在3D-NAND Flash的进度上，第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出货占比为10%，预期在48层堆栈与下半年将推出的72层堆栈3D-NAND Flash带动下，年底前3D-NAND Flash的产出比重将超越50%。
东芝电子
东芝电子64层堆栈的3D-NAND Flash产品相关对应的产品下半年将放量生产，现阶段在良率尚未显著提升之际，48层堆栈的3D-NAND Flash成为上半年营运的重点，而目前东芝3D-NAND Flash的产出比重较低，但年底维持超过产出的50%计划不变。
西数
在位元出货量与平均销售单价均上涨的情况下，西数2017会计年度第二季的NAND Flash营收大幅季成长约20%。全系列固态硬盘产品线表现强劲，显现在合并闪迪的综效已开始显现。
从产品面看，西数的64层堆栈3D-NAND Flash已经在自家Retail产品开始出货，OEM产品的认证过程也会在本季开始进行，预计整体3D-NAND Flash的产出比重在2017年底前将超过50%。
美光
受惠于整体NAND Flash市况供货吃紧与需求强劲，美光2017会计年度第一季位元出货量大幅季成长26%，NAND Flash营收也大幅季成长27%，至12.72亿美元。在营收的产品分配上，因移动终端与车用电子需求增加， 零部件颗粒销售比重降至40%，移动终端需求上升至23%，固态硬盘也微幅增加至15%，车用与其他工控类则是上升至20%。
产品规划方面，美光3D-NAND Flash的产出比重已超越50%，是除三星外唯一产出比重超过50%的厂商，同时，美光下个世代的64层堆栈3D-NAND Flash也预计在今年下半量产，原有的2D-NAND Flash产品占比将下滑至10%左右，仅满足原有利基型的应用。
英特尔
受惠于企业级固态硬盘的强劲需求，让英特尔2016年第四季位元出货量季成长25%以上，整体NAND Flash营收也季成长25%，至8.16亿美元。
产品规划方面，英特尔20纳米与25纳米旧制程的产品减少，16纳米与3D-NAND Flash（MLC架构）的企业级固态硬盘销售比重则逐步放大，有助让价格更具竞争力，也有助成本下降与利润增加，另外，3D-NAND Flash （TLC架构）的产品也开始放量生产
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