TrendForce：武汉新芯与紫光集团联手，中国NAND Flash产业迈入新篇章

紫光集团预计于武汉成立长江存储科技，未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切存储发展项目，目前整体规划朝向NAND Flash产业发展。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）研究协理杨文得表示，紫光集团与武汉新芯联手，使中国存储器产业发展进入新篇章，可望为后续中国布局自主性存储器产业带来进展。中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，未来一举一动都将牵动全球闪存产业格局。

DRAMeXchange预估2011~2016年NAND Flash位元需求量的年复合增长率高达47%，在SSD需求高度增长的带动下，NAND Flash未来10年可望皆维持高度增长态势，因而紫光集团与武汉新芯目前的发展将着力于NAND Flash产业。杨文得指出，武汉新芯原为NOR Flash大厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设领域有所擅长，而紫光集团则在资金募集及策略并购等方面均有过人之处，透过两强携手整合资源，能使中国闪存产业投资的整体资源分配更加集中，并在整合上产生更多综效，对内可以在未来中国闪存产业的发展中瞄准较佳的地位，对外则能提升产业上谈判的筹码，有助于中国建立产业自主性，后续发展值得关注。

现阶段武汉新芯在NAND Flash的布局领先其他中国闪存业者，其与飞索半导体合作开发的3D-NAND Flash技术正持续往32层堆叠的初期量产目标迈进，今年三月也在大基金的支持下兴建新3D-NAND Flash厂，预计2018上半年实现量产目标。至于其他NAND Flash业者，三星除西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划新的3D-NAND Flash产能。东芝电子与西数（WD）公司旗下闪迪（SanDisk）在日本Fab2厂的产能持续增加，新厂也可望自2018下半年投产最新制程的3D-NAND。SK海力士则除现阶段M11与M12厂外，M14厂第二阶段3D-NAND的生产也将从明年第一季开始进行。美光现除了新加坡Fab10X的扩建外，并未有新厂规划。杨文得进一步表示，由于3D-NAND Flash的厂房新建等投资远高于2D-NAND Flash的数倍，因此美光集团若能与紫光集团／武汉新芯比照”华亚科”模式合作（美光提供生产技术，合作方提供资金与生产产能），则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建，更有机会在市占率拉近与三星和东芝／西数阵营的距离。因此紫光集团与武汉新芯的联手格外引人瞩目。