全球经济依旧前景不明，各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守，TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，由于终端设备平均搭载量与固态硬盘（SSD）需求增长，2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44％，然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发，整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2016年NAND Flash产出将大于需求力道，价格下滑幅度也将大于过去两年。DRAMeXchange预估2016年整体NAND Flash产值仅年增长0.2%，达266亿美元，多数NAND Flash供货商将面临营运利润压缩的挑战。
2016年NAND Flash产业趋势分析如下：
3D-NAND Flash开发进度为聚焦重点
2016年是制程转进以及产品结构转换的关键时期。特别是15/16纳米在2015年第三季成为主流制程后，后续制程微缩的空间将面临瓶颈，再加上三星早已量产3D-NAND Flash并成功打开在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash厂商也陆续从今年第四季开始加速3D-NAND Flash的开发。DRAMeXchange预估2016年总晶圆投片量（12寸约当）达到1670万片，年增长12%，而因3D-NAND Flash的开发加速进行，预估2016年位元供给率将较今年大幅增长50％，为近四年来新高。
三星的3D-NAND Flash去年开始正式量产，今年凭着积极的价格策略及优异的性能迅速拉开与各家厂商的竞争步伐，迫使其他厂商加速3D-NAND Flash的开发，预期其他厂商3D-NAND Flash的固态硬盘也将在2016年第三季可供系统OEM厂商进行认证流程。杨文得表示，虽然整体3D-NAND Flash的产出比重在今年第四季仅有11%，但2016年可望大幅增长至30％，此举也将有助于降低固态硬盘的成本来提高系统OEM厂商的固态硬盘渗透率。
中国厂商布局日趋完整，扮演NAND Flash产业变化的关键角色
杨文得表示，今年中国半导体厂商投资NAND Flash存储相关公司的脚步加快，以及在NAND Flash上中下游产业链的布局日趋完整，未来3-5年中国厂商以及中国市场将对NAND Flash产业的变化扮演关键地位。
在中国政府强力主导下，目前中国以强大的半导体市场吸引力来加大NAND大厂投资建厂规模的成效已开始发酵，如三星西安厂持续扩厂，英特尔也确定将原先逻辑制程的大连晶圆厂转为生产NAND Flash的半导体厂。DRAMeXchange预估在2016年底前，NAND Flash国际大厂在中国生产的晶圆量占比可来到8％，未来增长的幅度将快速提升。
终端设备NAND Flash产品平均搭载量攀升，固态硬盘为需求动能亮点
杨文得表示，全球总体经济不确定的因素升高影响2016年各项NAND Flash终端需求，在设备端出货量增长有限的情况下，明年NAND Flash需求面将着重在平均搭载量的增长，又因NAND Flash价格滑落的速度加快，DRAMeXchange预估2016年智能手机的eMMC与消费级固态硬盘（Client-SSD）平均容量将较今年增长30%以上。
消费级固态硬盘部分，3D-NAND Flash的开发与TLC的普及率提升都加速了固态硬盘价格滑落的速度，也增强个人计算机（PC）厂商的采购与设计意愿，DRAMeXchange统计2015年的笔记本电脑SSD搭载率约为27%，预期2016年年底128GB的固态硬盘将低于500GB的传统硬盘、256GB的固态硬盘价格也将逼近1TB的传统硬盘，DRAMeXchange预估2016年笔记本电脑固态硬盘搭载率将突破30%。
此外，强调及时运算以及效能的数据中心需求量大增，各项云端运算与服务也随着APP在智能型手机的应用快速增长，整体企业级固态硬盘（Enterprise-SSD）的需求维持强劲的增长态势。DRAMeXchange预估2016年整体固态硬盘位消耗量份额将到35％，较今年的30%提升不少，成为各NAND Flash终端需求项目中表现最为强劲的种类。
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