TrendForce：行动式内存出货占比增加，第三季DRAM总产值小幅衰退1.2%

受到市况供过于求影响，DRAM平均销售单价持续下降，然而各家厂商策略性地将跌幅最大的标准型内存产能转往毛利较高、价格较稳定的服务器内存及行动式内存领域，配合位元颗粒仍持续增长，整体DRAM营收规模尚未出现大幅的缩减。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最新报告显示，第三季DRAM总产值小幅衰退1.2%，行动式内存占总营收比重从第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第四季由于智能手机出货量持续增长，行动式内存在整体DRAM比重将随之攀升。然而后续淡季再度来临，加上位元产出因20/21nm提升，供过于求加剧无可避免，未来DRAM价格将持续走跌。

三大厂积极优化成本，加速供需失衡获利仍低

第三季两大韩厂的营业获利率基本持平，三星维持47%，SK海力士约为36%。美光则产生较明显下滑，由第二季的21%下滑至第三季的约15%。市占方面三星仍处领先地位，约47%，SK海力士约28%，美光则约19%。

吴雅婷表示，三星第三季20nm产出除了在标准型内存及服务器内存外，率先出货20nm为基础的LPDDR4，在现今跌价的市场中保有成本优化的优势。SK海力士最先进制程21nm处于送样阶段，预计在明年第一、第二季大量出货，贡献整体产出。美光20nm产品目前在服务器内存领域小量出货，标准型记忆体验证正逐步执行中，为三大厂中制程转换最落后者。