产业洞察

TrendForce:2015年DRAM厂朝向全面获利,营收预估续成长16%


4 December 2014 半导体 郭祚荣

2014年是DRAM产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智能型手机持续热销,一线DRAM大厂纷纷转进行动式内存,TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估2014年行动式内存将占整体DRAM产出的36%,2015年更有机会突破40%大关。DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示,拜行动式内存需求旺盛所赐,标准型内存产出相对减少,反倒让模组价格始终维持在高价水位,2014年4GB模组均价约32美元,标准型内存毛利率平均达40%以上。各DRAM厂朝向全面获利的状态,寡占市场格局与需求端的市场变化都将牵动2015年DRAM产业未来发展。

2015年DRAM产业五大市场趋势如下:

1、2015年营收预估续成长16%,成长趋缓但各DRAM厂都以获利导向为优先

DRAM产业转为寡占市场结构,仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先,谨慎控制产出与产品类别的调整,加上全球智能型手机持续维持高度成长,让产能转向行动式内存,挤压到标准型内存的产出,让标准型内存市场价格维持高价水位,俨然成为DRAM厂的“摇钱树”,因此在获利方面都交出亮眼的成绩单。DRAMeXchange预估2015年的DRAM产值将达541亿美元,年成长为16%,为市场稳定成长获利的一年。

2、三星与SK海力士都有新厂完工,视市场需求动态调整产能

三星与SK海力士不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息,产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上,但事实上,三星在扩建Line17的同时,Line16 DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片,较大规模的投片将在2016年才会浮现。整体而言,由于市场的需求仍会持续成长,工厂只是为未来需求而兴建,只要投片产出是有计划性的,后续价格虽会逐季下降,但只要制程转进持续进行,DRAM厂获利仍能够保持现有水位。

3、行动式内存跃升全球市场主流规格,LPDDR4将在明年旗舰智能型手机现身

2014年智能型手机走入平价化,不少高规低价机种在全球市场攻城掠地,让新兴市场掀起一股智能型手机的换机潮。 郭祚荣表示,在智能型手机市场不停扩大的同时,2015年行动式内存市占也逼近全球市场的40%,相较于标准型内存27%的占比,行动式内存已跃升全球DRAM市场主流产品。另一方面,从行动式内存做观察,2015年主流规格仍是LPDDR3,产出量达60%以上,而新规格LPDDR4将在明年首度应用在旗舰智能型手机机种,无论省电机制与频率更胜LPDDR3,预计2015年市占率将达到15%。

4、20nm制程为2015DRAM主战场,然而资本支出增加将让制程转进趋缓

韩系DRAM厂25nm制程在2014年下半年已迈入成熟期,无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm制程,三星已进入验证阶段,SK海力士预计在明年第二季初进入市场;相较之下,美光目前规划只有华亚科才有20nm制程的标准型内存,转进进度较两大韩厂落后,目标2015年底达到80K投片量。由于进入20nm制程需要更多的设备来生产,意味着需要更多的资本支出,然而在获利导向下,各厂20nm制程的转进比重将会趋缓。

5、DDR4将在服务器领域率先切入,2015年年底服务器用DDR4市占有望突破50%大关

在英特尔强势主导与DRAM厂的全力配合下,DDR4内存将在服务器领域率先切入。郭祚荣表示,服务器内存除了稳定性的要求外,近期更着重于低电压与速度兼顾。根据JEDEC的规范,DDR4电压值仅有1.2V,未来速度更可高达3200Mhz。而价格部分也正与服务器用DDR3逐步贴近,DRAMeXchange预计DDR4最快于2015年底取代DDR3,正式成为服务器市场内存主流。


上一则
TrendForce: 2014年UV LED产值1.22亿美金,高单价与高毛利的UV LED市场成为LED厂商新蓝海
下一则
TrendForce: 2015年NAND Flash产业持续向上,产值成长超过10%