全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，第三季行动式内存价格与前季相较相对持稳，所有产品线的跌幅皆落在5%以内，其中大部分的智能型手机厂甚至在第三季的采购价格与前季完全相同，在行动式内存连续跌价超过两年的前例看来，今年受旺季需求支撑所呈现的价格持平走势相当难得，DRAM厂在该领域的获利持续向上攀升。
DRAMeXChange研究协理吴雅婷表示，智能型手机仍是第二季最大的需求来源，其中由于正值中国地区3G转4G TD-LTE系统，以及高通最新4G主流芯片MSM8916的平台开发时期，带动行动式内存的需求大增。由于苹果新款iPhone即将在第三季发表，屏幕尺寸的扩大使消费者关注度持续攀升，虽然4.7吋与5.5吋新机的单机搭载容量依然维持仅1GB LPDDR3，仍有效消耗可观的行动式内存产能，造成目前供货稍微吃紧的市况。
第三季度的价格列表中，单芯片封装内存(Discrete/PoP)产品合约价格下跌幅度在16GB高容量的LPDDR3较为明显，其余品项相对持平。以产出量来看，LPDDR3已经正式成为供货主流，需求在LPDDR2的比重迅速下滑，市场价格相对较为混乱，但基本上与LPDDR3已经达到平价。吴雅婷进一步指出，下一代行动式内存LPDDR4已经在样品阶段，由于在省电效能以及指令周期都与LPDDR3有显著的提升，所以受到智能型手机厂商高度的关注，预计最快在2015年第二季度就可以看到搭载LPDDR4的旗舰机种，并且快速的产生世代交替，于明年年底正式成为出货主流。
多芯片封装内存(MCP & eMCP)产品合约报价也仅呈现小跌的态势，主要仅反应因制程转进所造成的成本下降；后续受惠于高通MSM8916平台搭载的拉抬以及后续联发科的6732/6752 LTE芯片组，预计将大幅提升eMCP的出货比重。
展望第四季，DRAM总产能仍无法有所提升，而需求端由于各产品应用的出货处于旺季，预计总供货状态仍属小幅吃紧。行动式内存的价格在单芯片封装内存产品仍可能呈现小幅的跌幅，但eMCP类别可望持平或小涨，并且在三星积极的积极带动下，更高容量、LPDDR3为主的eMCP解决方案将快速窜起，在消化行动式内存的同时也带动NAND eMMC的需求。
注: 由于配合主要智能型手机大厂议价大多为季度制 (quarterly)，集邦将公布行动式内存的频率也修正为相同区间；而平板、高阶智能型手机以及Ultralike类的笔电所使用的单芯片封装(Discrete)内存再提供每月更新
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