根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange在10月份发布“DRAM减产效应逐步发酵，标准型内存价格反弹有望”之后，全球11月DRAM合约价格已出现止稳讯号，每月1美元甚至逼近2美元的跌幅正逐步收敛当中，加上DDR3 4GB合约价格力守15美元，12月份合约价不排除仅小幅下跌甚至持平的价格走势。
由于现货市场的价格敏感度比合约市场更加敏锐，其中的氛围变化往往是DRAM市场变化的先行指标，自本周开始现货市场已有买气升温的态势，DDR2 2Gb eTT及DDR2分别上涨1.24%及1.09%，一线模组大厂亦在10月份开始悄悄增加库存水位，交易活络下现货买家亦有增加库存水位的趋势，营造价格反弹的契机。TrendForce认为，DRAM现货价格起涨主要原因除了减产效应发酵之外，中国低价平板计算机MID「Mobile Internet Device」出货畅旺也是驱动DRAM价格止跌起涨的重要因素。
其实从市场面来观察，DRAM价格逐步回温及明年市场可望回到供需平衡态势皆有脉络可循，首先今年下半年DRAM价格跌幅让各DRAM厂都面临逼近甚至跌破现金成本的困境，自八月开始尔必达与瑞晶率先启动减产机制，力晶也从九月降低P3厂的标准型内存投片量，十月华亚科于法说会亦同时正式宣布减产20%，故全球DRAM投片量从今年高点减少至今约100K，减少幅度约9%。
同时，产品比例的调整亦正积极进行当中，韩系厂商已降低标准型内存比例，并移往毛利较高的行动式内存与服务器用内存，此举将有助于标准型DRAM的价格反弹，如三星今年早已把标准型内存产出比重降至30%上下，明年目标更希望可以调整至20%以下，SK海力士亦不遑多让，今年标准型内存产出占自身整体产出约50%，明年计划持续下修至40%以下，美光与尔必达的整并案预定于明年第一季前通过，并于明年下半年正式开启整并作业，产能势必将有所调整，华亚科亦主攻服务器用内存及行动式内存，标准型内存的产出规模也逐渐缩小当中，力晶则在年末将全面停止标准型内存投片，正式转型100%代工业务。
明年DRAM市场年成长率将创下自2009年金融风暴后最低成长率，仅有19.8%，较今年的28.1%的年成长率已经大幅下修。TrendForce综观分析DRAM产业各项数据，减产效应正逐步发酵当中，加上年底中国低价平板计算机市场需求面佳，使得11月合约价格止稳亦带动近期现货市场新一波价格上涨走势。由于产品比例调整让标准型内存占明年总产出比重仅剩32%，预期明年第一季之后DRAM产业供需状况可望正式回归健康水平。
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