DRAMeXchange: 三月上旬主流NAND Flash合约价大致持平开出，终端需求将扮演季底效应关键因素

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange调查，三月上旬主流NAND Flash 合约价大致持平开出，部分合约价均价小跌开出。二月下旬合约价均价受到美系厂商季底效应发酵影响，较二月上旬跌落5%-10%左右。即便季底效应过去，三月上旬市场需求却持续疲软，使得记忆卡与随身碟客户库存略为偏高，短期内并无好转迹象，买气相对低档、交易较为清淡，因此三月上旬合约价大致平盘开出。集邦科技认为，三月大部分合约价交易将落在月底，届时价格将会有较为清楚的走向。



而后续三月底与第二季NAND Flash市况，集邦科技认为，主要影响因素大部分来自终端需求的变化：

1.) 由于中国农历年假期销售旺季普遍不如预期，因此部分记忆卡与随身碟领导品牌业者采取较为积极的降价策略，以刺激淡季消费需求，零售市场的记忆卡与随身碟市况依旧较为疲弱，除了反映数字相机与消费性电子的销售受到淡季效应影响外，由于Intel延迟新一代Ivy-bridge处理器芯片上市时间，造成USB3.0所带动的新增需求递延，因此短期内记忆卡与随身碟的出货量成长将较为迟缓，短期内降价促销策略依旧扮演重要刺激买气重要因素之一。

2.) 从系统产品的需求面来看，三月上旬问世的新iPad以及各大品牌厂于2012全球行动大会(Mobile World Congress)上展示的多款搭载高效能处理器与高硬件规格的新款手机与平板计算机，预计上市时间多落在三月与四月，将有助于部分NAND Flash需求；此外， Intel 递延新款Ivy-Bridge处理器，将延后部分新款超轻薄笔电(Ultrabook)上市时间，市场预期今年智能行动终端产品销售发酵期将落在第三季，因此短期内NAND Flash需求面来自于系统产品的帮助相对有限。

自供给面来分析，虽然主要NAND Flash供货商针对较保守的经济前景采取较谨慎的晶圆扩充计划，加上去年第四季宣布导入量产的20nm等级芯片良率一直无法有效提升，导致产出增加有限。然而，随着20nm等级的产品良率逐渐改善，预期产出比率也将开始自第二季逐季攀升，同时20nm等级的eMMC与SSD产品也将自第二季后开始上市，届时将有助于提升系统产品大量出货时的应用需求。因此，针对短期NAND Flash市况，集邦科技依旧保持较为保守的看法，主流NAND Flash合约价持续缓步下滑至第二季的趋势不变。