DRAMeXchange: 季底效应发酵2月下旬主流NAND Flash合约均价下跌5-10%

根据集邦科技(TrendForce)旗下的研究机构DRAMeXchange调查指出，因中国农历年假期的销售状况，不如一些下游客户原先的预期，故在农历年长假过后，下游客户的库存回补意愿普遍不高，部分记忆卡及UFD业者也敦促NAND Flash供货商，协助他们进行降价促销活动来刺激淡季的市场需求，因此2月下旬NAND Flash芯片市场的买气呈现低迷的状况，而部分NAND Flash供货商在季底效应的影响下，也率先采取较积极的降价策略来提振下游客户的采购意愿，因此2月下旬主流NAND Flash合约均价下跌5-10%。

1H12影响NAND Flash 后市的三大因素:

1. 就总体经济情势而言，在国际间的协商及合作的努力下，近期欧洲主权债务风暴势头，以及部份影响全球经济及金融市场的不稳定因素正渐趋舒缓中，市场预期全球经济也将可望在2012下半年重回到复苏成长的道路，预期2012下半年NAND Flash在终端应用产品的旺季效应可望获得改善。

2. 就供给面而言，虽然主要供货商多采取暂缓2012上半年的晶圆扩充计划，这原本是用来因应总体经济环境呈现保守的策略，但随着主要NAND Flash供货商持续改善新的20nm级制程芯片良率，预期20nm级的产出比例在2012年第二季会逐渐提高。DRAMeXchange预期多数NAND Flash供货商会考虑系统产品应用的性能及可靠度，将在2012下半年陆续推出20nm级的eMMC、mSATA、SSD产品，而且是低成本高容量规格。

3. 就需求面而言，2012上半年多数的NAND Flash终端应用需求，仍将受到全球经济缓慢复苏及淡季效应的影响而呈现疲弱的表现，仅有某些热门系统新产品的上市效应，将会为NAND Flash市场带来些许春意，但2H12时会有更多厂商采用新世代的高性能微处理器/OS/无线通信技术/高分辨率影像功能的新系统组合，来陆续推出智能型手机、平板计算机与Ultrabook新机种，届时也将提高这些装置采用20nm级NAND Flash嵌入式产品的比例。

DRAMeXchange综合上述市场因素，预估1H12 NAND Flash市场仍将处于淡季供过于求的状况，就短期而言，预期NAND Flash市场将主要受到1Q季底结账效应，热门产品上市预期心理及传统淡季效应等多空因素交互影响而呈现缓跌的走势。