受惠于AI与企业级SSD强劲需求，原厂严控产能并向高阶应用倾斜，导致十二月NAND Flash Wafer合约价全面显著上扬，尤以TLC与QLC涨势最猛。目前市场仍由卖方主导，因供应吃紧且无扩产计划，短期价格上行趋势稳固，难以撼动。
原厂产能转往先进制程致使成熟制程供给紧缩，迭加电信、工控与车用等利基需求稳健及客户提前备货，推升SLC与MLC合约价全面上扬。展望后市，因产能缩减成定局且需求维持高档，供需失衡预期将使价格涨势延续至未来季度。
1Q26受AI服务器强劲需求驱动，存储器产业确立卖方市场。原厂产能重押高毛利服务器应用，导致供给结构性短缺。PC与消费端虽处淡季，仍因产能排挤效应面临缺货，DRAM与NAND Flash全线产品价格将显著上扬。
NAND Flash受限于供给控管，合约与现货价格同步走扬。美光财报显示营收与毛利率大幅跃升，主要受惠于AI与数据中心强劲需求。展望未来，高容量QLC与企业级SSD为关键动能，公司将持续聚焦高毛利应用以优化获利结构。
TrendForce除针对主流NAND Flash市场提供产业分析以外，亦针对较利基的SLC NAND市场提供完整的供给与价格分析。
季度服务器DRAM供应商预测
季度需求预测
中国大陆季度服务器DRAM价格
季度企业级SSD供应商出货量
季度企业级SSD供应商出货形态
中国大陆季度企业级SSD(U.2)价格
中国大陆季度企业级SSD(M.2/EDSFF)价格
中国大陆季度HDD(U.2)价格
季度内存/闪存库存水平
合约价受晶圆成本与积极拉货推升，涨幅续强。现货价在供给受限下创高。手机用NAND Flash因供需失衡带动欧美与中系价差收敛，合约价大幅补涨，连同DRAM推升Android整体成本，压缩中低阶机种空间。
存储器价格在2026年第一季持续强劲上涨，BOM成本压力濒临临界点 。品牌商被迫冻结降价并缩减规格配置，终端销售预期面临严峻挑战。
日本地震未影响铠侠北上厂运作。在同业因AI热潮优先投资DRAM导致NAND Flash扩产受限下，具备充裕洁净室空间的K2厂成为关键。铠侠采稳健策略布局次世代制程，该厂将是未来市场供给趋紧时，极少数具备实质扩张潜力的战略筹码。
缺货效应导致NAND Flash合约与现货价格飙涨，库存告急引发市场恐慌性备货。同时，长江存储积极扩张产能并精进制程技术，更计划启动上市及跨足DRAM领域；其强劲的成长动能预期将显著提升市占与营收，进而改变全球存储器供应版图。
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