2016年第一季行动式内存营收呈现趋缓的走势，加上下半年为传统智能型手机出货旺季下，全球第四季行动式内存产值仅小幅衰退1%...
受到DRAM的平均销售单价持续下降与市况持续供过于求影响，全球2015年第四季DRAM总产值与较上季衰退9.1%，金额来到102.7亿美元...
受到总体经济环境不佳的影响，第四季整体NAND Flash市场持续维持供过于求的格局，第四季eMMC与Client-SSD价格较第三季约略下滑10-12%外...
由于行动式内存价格与其他产品类别相比相对抗跌，且位元产出不断增加的情况下，行动式内存占总体DRAM营收已达40%且持续扩大 (上季度约为33.7%)，而该产品总营收在第三季就有18%的季增长...
受到終端需求端旺季不旺的影響，NAND Flash市場持續呈現供過於求，第三季SSD與eMMC下滑約10%QoQ外，顆粒合約價均價也下滑了6-7%QoQ，較第二季下滑幅度來的多...
受到市况持续供过于求的影响，DRAM的平均销售单价持续下降；但由于各家厂商都有策略性地将跌幅最大的标准型内存产能转往毛利较高...
根据市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，由于行动式内存与其他产品类别相比相对抗跌，所以在今年第二季的总营收达到38.51亿美元，与上季相较约有7.7%的成长，行动式内存占总体DRAM营收已达33.7%且持续扩大 (上季度约为30%)。就2Q15而言，行动式内存的位元产出主要仍来自于韩系厂商三星半导体...
第二季受到希腊债务危机影响整体欧元区复苏力道，以及中国金融市场不佳影响到中国内需市场的影响下，各项NAND Flash终端需求表现不如预期，颗粒合约价、eMMC与Client SSD均呈现下滑走势，第二季NAND Flash市场依旧供过于求。在各家OEM业者下修下半年的出货目标的影响下，第三季的旺季需求将不若去年明显，TrendForce预期第三季在NAND Flash产出持续成长以及需求转弱的影响，整体NAND Flash市场将转为供过于求的市场，价格滑落的幅度将加大...
受到全球DRAM第二季合约均价大幅衰退约10%的影响，虽然位元产出量持续增长，但总产值仍呈现季衰退4.8%的状况，来到114亿美金。笔电市场与智能型手机领域在第二季度需求仍处疲弱状态，以出货量来观察，笔电在第二季出货衰退约2.9%，而智能型手机成长也仅1.2%，无法扭转供过于求的态势...
从2013下半年开始，大陆在4G发展的脚步逐渐加快，除积极布建基地台等基础建设之外，也引入包括迈威尔、高通等发展脚步较快的方案供货商，协助整体供应链快速进入4G世代...
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