受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能，以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口，以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度，预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级，因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业于第二季度营收总计为约81亿美元，受到日本地震所带来的缺货预期因素而有微幅回升，但受到茂德投片减少以及力晶转进非DRAM产品增加的影响，总营收与上季相比呈现1.9%的小幅衰退...
受到全球总体经济因素的干扰，第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期，零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度，因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...
受惠于智能型手机与平板计算机的爆发性成长，内建式系统产品占整体NAND Flash 消耗量将首次突破 50%来到 60.4%的水平，显示未来 NAND Flash 产业的成长动能将开始由过去记忆卡与随身碟型态为主的市场，质变至智能型手机、平板计算机与固态硬盘等系统产品...
集邦科技预期NAND Flash供货商2011年位产出的成长仍将以制程技术升级为主，并将视市场需求状况适度地增加新的300mm晶圆产能，以维持NAND Flash市场能处于比较平衡的状况，以便减少价格下跌对获利性的冲击影响程度...
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第一季营收数字83亿美元，虽然DRAM合约均价较上季下跌30%，但受惠于第一季DRAM颗粒总产出量较前一季约成长15%，总括第一季DRAM厂总营收较去年第四季86亿美元小幅衰退4%左右...
根据集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 调查指出，预估 2011 年 PC产业中 DT 出货量 149.7M 台，年增率 2.6%；NB(包含小笔电)215.2M 台，年增率 11%，小笔电 25.9M 台，年增率-22.2%...
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，全球DRAM产业第四季营收数字86.4亿美元，虽然DRAM 总产出量较第三季约成长16%，由于第四季合约价跌幅高达40%，与第三季营收107.8亿美元比较仍下跌约20%左右...
集邦科技预期NAND Flash供货商2011年位产出的成长仍将以制程技术升级为主，并将视市场需求状况适度地增加新的300mm晶圆产能，以维持NAND Flash市场能处于比较平衡的状况，以便减少价格下跌对获利性的冲击影响程度，同时也将持续淘汰一些200mm晶圆的设备...
