全球DRAM第一季合约均价较上季跌幅达11%，加上笔电市场与智能型手机步入传统淡季下，全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收来到120亿美元。从市场面来观察，由于一线大厂转进20/25nm制程且位元产出增加，配合去年第四季需求旺季，创造历年少见的营收高峰；但进入传统淡季后，产出与库存水位的增加，亦成为降价的压力点，第一季开始部份厂商已经着手进行产品的调节与转换，希望在各产品的供需中取得价格平衡点...
第一季NAND Flash市场受到需求端淡季效应的冲击，明显呈现供过于求，颗粒合约价跌幅也接近10%，让各家NAND Flash业者营收普遍较2014年第四季衰退。TrendForce预期第二季上半仍依旧为小幅供过于求，但自五月底起受惠于新款智能型手机上市铺货潮，及固态硬盘需求的带动下，市况将开始回温，下半年可望转为供需平衡且供货吃紧的情况...
全球DRAM市场第四季展现出淡季不淡的市场趋势，笔电出货量不仅没有衰退，较第四季更小幅成长，其出货量达47M，虽然合约价格自去年11月缓步下跌，但第四季整体合约均价仍略高于第三季；再加上一线大厂积极转进20/25nm制程，产出增加下，让第四季营收再度成长8.0%，达到130亿美元，单季营收再度创下新高...
回顾第四季的NAND Flash市场，以iPhone6/6Plus带头的OEM 行动装置出货高峰潮带动下，整体市况持续维持供需均衡的态势，整体NAND Flash营收持续稳健增长外，各家NAND Flash业者的营业利益率，也维持与第三季相同的水平...
回顾第三季的NAND Flash市场，受惠于苹果iPhone6/6Plus的NAND Flash需求备货强劲的带动下，让整体市况从上半年较为明显的供过于求转为供需均衡的态势，也让第三季NAND Flash颗粒合约价均价较第二季微幅增加5-6%QoQ，各家NAND Flash业者的营业利益率也普遍较第二季表现更为稳健...
全球DRAM产业由于第三季iPhone6出货在即，三大DRAM厂莫不备战，调配旗下产能以应付Apple庞大行动式内存的需求；排挤效应下，标准型内存产出减少，不光第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型内存仍蝉联毛利最高的DRAM产品。此举亦带动今年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高，在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下，其获利能力皆进一步提升。获利能力来看，三大DRAM厂中，三星仍表现最佳，营业利益率(Operating Margin)达42%，SK海力士则紧追在后达40%，美光集团由于生产主轴仍以30nm制程为主，毛利率约24.1%，为三大DRAM厂最低。但在DRAM产业寡占结构下，市场仍是维持稳定获利的格局走势，预估2014年DRAM产值可望来到461亿美元，2015年更将来到520亿美元规模，预计成长近13%...
回顾第二季的NAND Flash市场，虽然六月份在OEM厂商提前为第三季的出货做备货的带动下，整体盘势筑底反弹，但由于四月份与五月份整体市况呈现供过于求的情形，影响整体第二季的NAND Flash颗粒价格平均较前季下滑5-10%，供货商的营收与营业利益数字也同步下滑...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，全球DRAM产业由于智能型手机的高度成长，在产能调配下，行动式内存已经跃升为比重最高的产品；受排挤效应影响，标准型内存产出减少，且因供货吃紧带动，成为毛利最高的产品，使第二季合约价格呈现持续上涨趋势。今年第二季全球DRAM产值单季营收达百亿美元规模至108亿美元，较上季成长9%，在各DRAM厂产品比重调配得宜下，其获利能力皆进一步上升。以获利能力来看，三大DRAM厂中，三星仍表现最佳，营业利益率(operating margin)达39%，SK海力士则紧追在后达38%，美光集团中以华亚科营业利益率达全DRAM厂之冠至55%最为亮眼。寡占结构与供货持续吃紧下，整体DRAM市场亦形成价格欲跌不易的市场格局。预估2014年DRAM产值可望来到468亿美元，较2013年大幅成长36%...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，全球DRAM产业进入寡占结构后，市场从去年开始进入全面获利的状况；即使SK海力士无锡厂于第一季逐步恢复产出，仍无损其获利结构...
回顾第一季NAND Flash市场，虽然产出成长率因SK海力士产能尚未恢复正常以及各家制程转进还没加速之际，仅有6.1%QoQ，但由于淡季效应冲击需求端，以至于整体市况偏向供过于求，使得第一季NAND Flash颗粒合约价均价较去年第四季下跌18-20%，供货商的营收成长动能与营业利益表现也较第四季下滑...
