根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，2013年全球智能型手机出货量为...
第三季末与第四季的NAND Flash市况，受到SK海力士无锡厂火灾影响明显。部分NAND Flash厂在无锡厂火灾后，迅速将NAND Flash产能挪移至DRAM，因此整体产出下降，让九月份价格止稳，也减缓原先预期第四季供过于求的市况，而造成价格下跌的压力。然而，在终端需求表现不如预期的情况，和厂商对于后续需求看法偏向悲观的影响下，TrendForce认为短期内NAND Flash产业的成长动能将相对受限...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，原本下半年在全球景气不明朗，DRAM价格预估将逐步往下的趋势下，由于SK海力士无锡厂大火使得供给面出现短期重大产能缺口，不光现货价格大涨40%来到DDR3 2Gb来到2美元价位，合约价价格最高成交价格至今亦来到34美元。但随着SK海力士于韩国场区增产与三星策略性投片增加下，原本受到SK海力士火灾影响上涨价格走势，将受到三星及SK海力士的计划而受到压抑，加上部份DRAM厂锁定整季的合约价格来议定，上涨格局已经遭到破坏下，第四季合约价以持平或是小幅下修的可能性增高...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，因SK 海力士无锡工厂火灾影响，所有行动式内存产品线当季价格下跌幅度均有收敛，增加获利空间。行动式内存第三季营收总值达到约33亿美元，QoQ 14%，占总DRAM 营收比例三成以上，随着出货比重提高，营收将在未来持续成长...
由于第二季智能型手机出货温和成长约7%，同时受到标准型内存涨价的因素影响，行动式内存的价格也同步走扬，本季行动式内存的总营收已逼近30亿美元，季增约11%，占总体DRAM营收的34%...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，全球DRAM产业合约价上涨约16%，DDR3 4GB价格来到27.5美元，从市场面来观察，虽然第二季属PC传统出货淡季，但在标准型内存产出仍持续减少当中，让第二季合约价持续上涨。但时序进入第二季末，由于下半年全球经济愈趋保守及PC出货仍不明朗， 合约价格上涨力道开始趋缓，对于第三季的价格走势开始产生不确定性，加上PC-OEM的DRAM库存水位节节攀升下，集邦科技认为下半年合约价将会持平甚至下跌的可能性高...
由于NAND Flash供货商并无产能扩张的计划，第二季单季位元产出季成长率仅有8.4%QoQ，同时原厂也持续降低对于通路客户的供货比重以稳定市况，因此在智能型手机、平板计算机出货大致符合预期的情况下，第二季NAND Flash合约价维持与第一季相当的水平，供需状况健康...
回顾第一季NAND Flash市况虽然在终端需求面临淡季效应的影响下呈现5-10%不等的下滑，但在NAND Flash供货商暂缓上半年产能投片扩张的计划以节制产出让第一季NAND Flash位元成长率仅有8%QoQ，降低第一季供过于求的缺口至2.8%，因此第一季NAND Flash合约价格依旧维持稳健走势，产业秩序相对健康...
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