全球DRAM颗粒价格在第一季的表现亮眼，DDR3 4GB合约均价部份从17.25美元上涨至23.5美元，大涨近36%， 2GB模组由于2Gb颗粒生产逐步走入末期，均价涨幅更逼近44%，从市场面来观察，由于一线DRAM大厂仍积极转进行动式内存及服务器用内存，今年标准型内存占总产出仅约32%，较去年最末季的44%再度下滑。自今年第二季开始，行动式内存的产出市占率将正式超越标准型内存，成为内存市场占比最高的产品...
NAND Flash相关业者预期农历年后市场将受到淡季效应的影响，第二季市况将较第一季为疲软，但NAND Flash供货商在今年上半年将延续暂缓新产能扩充计划来减缓市场的供给成长率，因此NAND Flash价格将大致呈现缓跌，下半年在智能型手机、平板计算机与Ultrabook新机上市所带动的备货效应下需求将逐步加温，NAND Flash价格也可望自第三季回稳...
全球第四季标准型内存市场方面，由于一线DRAM大厂积极转进毛利较高的行动式内存与服务器用内存，并降低标准型内存的产出，加上第四季中国市场MID市场需求涌进，让现货市场启动涨价机制，第四季DDR3 1600Mhz 2Gb颗粒价格从0.82美元上涨至1.05美元，涨幅逼近30%，中国新年前夕，由于补货需求力道强劲，2Gb价格更逼近1.3美元，从去年起涨点来观察，至今价格已经涨幅逼近60%...
全球第三季行动式内存市场方面，由于PC产业的衰退，全球内存产业整体营收季减8.5%。但一线DRAM大厂仍积极转进行动式内存领域，今年预估行动式内存的产出量将占整体产出量的21%，明年更上看26%; 而在价格方面，本季行动式内存合约价格平均跌幅约在5%左右，较上半年平均10-15%的跌幅已大幅收敛，整体来说由于产出量持续增加，行动式内存整体营收仍较前季成长15.4%...
目前NAND Flash供货商对2013年的市场需求及资本支出持保守的态度，主要仍将采用制程技术升级来提高位元产出量，以强化成本的竞争力来减缓价格下跌对获利率的影响，集邦科技(TrendForce)预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2012年的14,858 M 16Gb equiv.成长41.1% YoY成为2013年的20,960 M 16Gb equiv...
苹果与三星两大品牌在 2012 年的出货量合计约占总体智能型手机的50%，达 330M 台。苹果的 iPhone 系列自推出以来历久不衰，无论是品牌形象与获利都在智能型手机领域中称霸。三星电子贯彻硬件供应链垂直整合，从最核心的 SoC、内存以及面板到电池，不仅为自家产品做出最佳的成本竞争力，也成功开拓出三星半导体零组件的出海口，成为全球智能型手机出货量最大的单一品牌...
全球第二季行动式内存市场方面，由于全球智能型手机出货畅旺与平板计算机的兴起下，带动行动内存在第二季需求大幅成长。虽然整体行动式内存合约价较第一季跌幅约10%左右，然而整体营收仍较第一季逆势成长约12.4%。从第二季行动式内存营收来观察，三星半导体市占逼近全球60%，仍稳居龙头之位，韩系厂商占全球行动式内存营收的77.5%，较第一季仅小幅减少1.1%。第三名的日商尔必达市占则是小幅下滑0.8%来到13.9%，美商美光科技则受惠于中低阶智能型手机的成长，市占小幅成长至6.7%，位居第四...
受到全球经济复苏不确定性的影响，多数NAND Flash供货商对2H12的市况仍倾向保守，因此2012年的供货商的位元产出成长的驱动力仍将以制程技术升级为主，近期多数NAND Flash供货商多已计划将采取暂时减产，放缓原订于2H12 的新产能扩增计划，或将部分 NAND Flash生产线转为生产其它IC产品，来降低2H12的位元产出成长速率及资本支出预算，以减缓价格下跌对获利率的冲击影响...
受到全球经济复苏不确定性的影响，多数NAND Flash供货商对1H12的市况仍倾向保守，因此2012年的供货商的位元产出成长来源仍将以制程技术升级为主，以缩小市场供过于求的缺口,及强化成本的竞争力,来减缓价格下跌对获利的冲击性，2012年厂商也将持续淘汰部分200mm晶圆厂设备...
5月8日尔必达正式宣布并入美光体系，三大DRAM阵营俨然成形，经由这次美光整并尔必达后，综合两家公司的市占率，泛美光集团可望一跃逼近24%，高过SK海力士(23.9%)，成为仅次三星成为市占率第二的内存品牌厂，泛美光集团将整合台美日DRAM厂产能，(新增)整合如美光的Flash制品、尔必达的行动式内存及台湾DRAM厂的制造能力，力抗韩系大军独大态势，DRAM产业于今年可正式走向寡占市场，三大DRAM阵营已俨然成形，有助于DRAM颗粒价格逐步走向健康面，避免以往动辄削价竞争的市场态势...
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