第三季末与第四季的NAND Flash市况，受到SK海力士无锡厂火灾影响明显。部分NAND Flash厂在无锡厂火灾后，迅速将NAND Flash产能挪移至DRAM，因此整体产出下降，让九月份价格止稳，也减缓原先预期第四季供过于求的市况，而造成价格下跌的压力。然而，在终端需求表现不如预期的情况，和厂商对于后续需求看法偏向悲观的影响下，TrendForce认为短期内NAND Flash产业的成长动能将相对受限...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，原本下半年在全球景气不明朗，DRAM价格预估将逐步往下的趋势下，由于SK海力士无锡厂大火使得供给面出现短期重大产能缺口，不光现货价格大涨40%来到DDR3 2Gb来到2美元价位，合约价价格最高成交价格至今亦来到34美元。但随着SK海力士于韩国场区增产与三星策略性投片增加下，原本受到SK海力士火灾影响上涨价格走势，将受到三星及SK海力士的计划而受到压抑，加上部份DRAM厂锁定整季的合约价格来议定，上涨格局已经遭到破坏下，第四季合约价以持平或是小幅下修的可能性增高...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，全球DRAM产业合约价上涨约16%，DDR3 4GB价格来到27.5美元，从市场面来观察，虽然第二季属PC传统出货淡季，但在标准型内存产出仍持续减少当中，让第二季合约价持续上涨。但时序进入第二季末，由于下半年全球经济愈趋保守及PC出货仍不明朗， 合约价格上涨力道开始趋缓，对于第三季的价格走势开始产生不确定性，加上PC-OEM的DRAM库存水位节节攀升下，集邦科技认为下半年合约价将会持平甚至下跌的可能性高...
由于NAND Flash供货商并无产能扩张的计划，第二季单季位元产出季成长率仅有8.4%QoQ，同时原厂也持续降低对于通路客户的供货比重以稳定市况，因此在智能型手机、平板计算机出货大致符合预期的情况下，第二季NAND Flash合约价维持与第一季相当的水平，供需状况健康...
回顾第一季NAND Flash市况虽然在终端需求面临淡季效应的影响下呈现5-10%不等的下滑，但在NAND Flash供货商暂缓上半年产能投片扩张的计划以节制产出让第一季NAND Flash位元成长率仅有8%QoQ，降低第一季供过于求的缺口至2.8%，因此第一季NAND Flash合约价格依旧维持稳健走势，产业秩序相对健康...
全球DRAM颗粒价格在第一季的表现亮眼，DDR3 4GB合约均价部份从17.25美元上涨至23.5美元，大涨近36%， 2GB模组由于2Gb颗粒生产逐步走入末期，均价涨幅更逼近44%，从市场面来观察，由于一线DRAM大厂仍积极转进行动式内存及服务器用内存，今年标准型内存占总产出仅约32%，较去年最末季的44%再度下滑。自今年第二季开始，行动式内存的产出市占率将正式超越标准型内存，成为内存市场占比最高的产品...
NAND Flash相关业者预期农历年后市场将受到淡季效应的影响，第二季市况将较第一季为疲软，但NAND Flash供货商在今年上半年将延续暂缓新产能扩充计划来减缓市场的供给成长率，因此NAND Flash价格将大致呈现缓跌，下半年在智能型手机、平板计算机与Ultrabook新机上市所带动的备货效应下需求将逐步加温，NAND Flash价格也可望自第三季回稳...
全球第四季标准型内存市场方面，由于一线DRAM大厂积极转进毛利较高的行动式内存与服务器用内存，并降低标准型内存的产出，加上第四季中国市场MID市场需求涌进，让现货市场启动涨价机制，第四季DDR3 1600Mhz 2Gb颗粒价格从0.82美元上涨至1.05美元，涨幅逼近30%，中国新年前夕，由于补货需求力道强劲，2Gb价格更逼近1.3美元，从去年起涨点来观察，至今价格已经涨幅逼近60%...
全球第三季行动式内存市场方面，由于PC产业的衰退，全球内存产业整体营收季减8.5%。但一线DRAM大厂仍积极转进行动式内存领域，今年预估行动式内存的产出量将占整体产出量的21%，明年更上看26%; 而在价格方面，本季行动式内存合约价格平均跌幅约在5%左右，较上半年平均10-15%的跌幅已大幅收敛，整体来说由于产出量持续增加，行动式内存整体营收仍较前季成长15.4%...
目前NAND Flash供货商对2013年的市场需求及资本支出持保守的态度，主要仍将采用制程技术升级来提高位元产出量，以强化成本的竞争力来减缓价格下跌对获利率的影响，集邦科技(TrendForce)预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2012年的14,858 M 16Gb equiv.成长41.1% YoY成为2013年的20,960 M 16Gb equiv...
